Toshiba يطلق SIC MOSFET GATE DRIVER DARPLER مع وظائف السلامة المعززة في المعدات الصناعية

في دوائر مثل العاكسات التي يتم فيها استخدام MOSFETs و IGBTs في السلسلة ، عند إيقاف الذراع السفلي (2) ، يمكن أن يولد تيار Miller (1) جهد بوابة ، مما يسبب أعطال مثل الدوائر القصيرة في الذراعين العلوي والسفلي (3). ميزة الحماية شائعة الاستخدام لمنع ذلك هي تطبيق الجهد السلبي على البوابة عند إيقاف تشغيله.

بالنسبة لبعض MOSFETs SIC ، والتي تتميز عمومًا بتطبيقات أعلى ، ومقاومة أقل ، وخصائص التبديل الأسرع من MOSFETs السيليكون (SI) ، لا يمكن تطبيق الفولتية السلبية الكافية بين البوابة والمصدر. في هذه الحالة ، يمكن استخدام دائرة مشبك المرآة النشطة لتدفق تيار المرآة من البوابة إلى الأرض ، مما يمنع دوائر قصيرة دون الحاجة إلى تطبيق الفولتية السلبية. ومع ذلك ، هناك تصميم لتوفير التكاليف يقلل من الجهد السلبي المطبق على البوابة عند إيقاف تشغيل IGBT ، وفي هذه الحالات يكون برنامج تشغيل البوابة مع مشبك المرآة النشط الداخلية خيارًا للنظر فيه.

يشتمل المنتج الجديد على دائرة مشبك مرآة نشطة ، لذلك لا يلزم أي مصدر طاقة إضافي للفولتية السلبية ودوائر مشبك المرآة النشطة الخارجية. يوفر هذا ميزات سلامة النظام ويساعد أيضًا على تصغير النظام عن طريق تقليل عدد الدوائر الخارجية. عادةً ما تكون مقاومة قناة دائرة المشبك المرآة النشطة 0.69Ω (طبقة) وتصنيف حوض الذروة الذروة من 6.8a ، مما يجعلها مناسبة كبرنامج تشغيل البوابة لـ SIC MOSFETs ، وهو حساس للغاية لتغيرات جهد البوابة.

يحتوي TLP5814H على تصنيف درجة حرارة التشغيل من -40 إلى 125 درجة مئوية ، ويتحقق من خلال تعزيز الناتج البصري للضوء الأشعة تحت الحمراء التي تنبعث منها الثنائيات على جانب المدخلات ، مما يؤدي إلى تحسين تصميم أجهزة الكشف الضوئي (صفائف ثنائيات الصور الضوئية) لتحسين كفاءة الاقتران البصري. هذا يجعلها مناسبة للمعدات الصناعية التي تتطلب إدارة حرارية صارمة ، مثل العولات الشمسية (PV) ومصادر الطاقة غير المنقطعة (UPS). يتم تحديد وقت تأخير الانتشار وتأخير انحراف الانتشار أيضا في نطاق تصنيف درجة حرارة التشغيل. تحتوي الحزمة على حجم صغير من SO8L ، 5.85 × 10 × 2.1 مم (TYP.) يساعد على تحسين مرونة تخطيط الجزء على لوحة النظام. بالإضافة إلى ذلك ، فإنه يبلغ الحد الأدنى من مسافة زحف قدره 8.0 مم ، مما يجعله مناسبًا للاستخدام في التطبيقات التي تتطلب أداءً عازلاً عالياً.

ستواصل Toshiba تطوير منتجات Photocoupler التي ستسهم في تحسين وظائف السلامة من المعدات الصناعية.

ملحوظة:

(1) تيار ميلر: التيار المتولد عندما يتم تطبيق جهد DV/DT عالي بين استنزاف وبوابة MOSFET أو بين جامع وبوابة IGBT.

(2) الذراع السفلي هو الجزء الذي يتم فيه استخلاص التيار من حمولة الدائرة التي تستخدم جهاز طاقة مثل العاكس في السلسلة مع مصدر طاقة سلبي (أو أرض). الذراع العلوي هو جزء يوفر التيار إلى الحمل من مصدر الطاقة.

(3) دوائر قصيرة في الذراعين العلوي والسفلي: ظاهرة يتم فيها تشغيل أجهزة الطاقة العلوية والسفلية في وقت واحد بسبب الضوضاء بسبب تيار المرآة أثناء التبديل أو العطل بسبب خلل في جهاز الطاقة.

طلب

المعدات الصناعية

• العولات الكهروضوئية ، UPSS ، العاكسات الصناعية ، محركات AC المؤازرة ، إلخ.

جهاز مناسب لـ TLP5814H

SIC MOSFETs عالية الجهد SI MOSFETs مع تصنيف IGBT فوق 300V

تطبيق ممتاز وجيد

سمات

وظيفة مشبك المرآة النشطة المدمجة

• تصنيف تيار إخراج الذروة: IOP = +6.8a/-4.8a

• ارتفاع درجة حرارة التشغيل: TOPR (أقصى) = 125 درجة مئوية

المواصفات الرئيسية

(TA = -40 إلى 125 درجة مئوية ما لم ينص على خلاف ذلك)

رقم الجزء TLP5814H

وظيفة مشبك المرآة النشطة المدمجة

اسم الحزمة SO8L

الحجم (مم) النوع. 5.85 × 10 × 2.1

مطلق

الحد الأقصى

تقييم درجة حرارة التشغيل topr (° C) -40 ~ 125

ذروة إخراج الحالي IOPL/IOPH (A) +6.8/-4.8

الذروة المشبك الغار

مُستَحسَن

التشغيل

الجهد الإمداد بالظروف VCC (V) 13-23

إدخال التيار على الدولة إذا (ON) (MA) 4.5-10

كهرباء

مميز مستوى العرض الحالي ICCH (MA) VCC – VEE = 23V كحد أقصى

انخفاض مستوى العرض ICCL (MA) كحد أقصى

تيار إدخال العتبة (L/H) IFLH (MA) بحد أقصى 3.0

Uvlo عتبة الجهد Vuvlo +(V) الحد الأقصى 13.2

التبديل

وقت تأخير الانتشار المميز (L/H) TPLH (NS) VCC = 23V الحد الأقصى 150

وقت تأخير الانتشار (H/L) TPHL (NS) VCC = 23V الحد الأقصى 130

مناعة عابرة الوضع المشترك CMH ، CML (KV/μs) TA = 25 درجة مئوية دقيقة ± 70

الفصل

جهد الفصل المميز BVS (VRMS) TA = 25 درجة مئوية دقيقة 5000

عينة الشيكات وتوافر الشراء عبر الإنترنت

لمزيد من المعلومات حول المنتج الجديد ، يرجى اتباع الرابط أدناه.

TLP5814H

لمزيد من المعلومات حول مرحلات Toshiba المعزولة/الحالة الصلبة ، يرجى اتباع الرابط أدناه.

عزل/تتابع الحالة الصلبة

للتحقق من توفر منتجات جديدة مع موزعنا عبر الإنترنت ، راجع:

TLP5814H

شراء عبر الإنترنت

*قد تكون أسماء الشركات وأسماء المنتجات وأسماء الخدمات علامات تجارية لشركاتها.

*المعلومات الواردة في هذا المستند ، بما في ذلك تسعير المنتجات ومواصفاتها ، ومحتوى الخدمة ومعلومات الاتصال ، موجودة في تاريخ النشر ، ولكنها تخضع للتغيير دون إشعار مسبق.

حول Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

مورد رائد لحلول أشباه الموصلات والموصلات المتقدمة ، تقوم شركة Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation بأكثر من نصف قرن من الخبرة والابتكار لتزويد العملاء والشركاء التجاريين بمنتجات أشباه الموصلات المخصصة والمنظمة LSI و HDD.

يشارك 19،400 موظف في جميع أنحاء العالم عزمهم على زيادة قيمة المنتج إلى الحد الأقصى وتشجيع التعاون الوثيق مع العملاء في القيمة المشتركة والأسواق الجديدة. تتطلع الشركة إلى المساهمة في مستقبل أفضل للأشخاص في كل مكان.

عنوان الاتصال

استفسار العميل

قسم مبيعات وتسويق الأجهزة الإلكترونية الضوئية.

Tel: +81-44-548-2218

سؤال

استفسارات الإعلام:

شياكي ناجاساوا

قسم التسويق الرقمي

شركة Toshiba Electronics & Storage Corporation

المصدر: شركة توشيبا الإلكترونية وشركة التخزين